國家第三代半導體技術創新中心(南京)在碳化硅MOSFET芯片制造領域取得的技術突破，確實是我國半導體產業發展的一個重要里程碑。通過四年的專注研發，該中心不僅成功掌握了溝槽型碳化硅MOSFET芯片的制造關鍵技術，而且顯著提升了芯片的導通性能，預計性能提升約30%。這一成果不僅打破了傳統平面型碳化硅MOSFET芯片的性能限制，還有助于降低成本，預計將在多個高端應用領域，如新能源汽車電驅動、智能電網、光伏儲能等，得到廣泛應用。

圖源：南京日報/紫金山新聞記者 孫中元

超快激光技術在這一過程中發揮了至關重要的作用。它能夠實現微米甚至納米級的加工精度，這對于在碳化硅材料上精確地“挖坑”制作溝槽型結構至關重要。這種高精度的加工技術是實現碳化硅MOSFET芯片性能提升的關鍵因素之一。此外，超快激光技術的應用范圍正在不斷拓展，它在LED/OLED照明、光伏以及晶圓切割等領域的應用也在不斷增加，成為推動半導體工藝向更小、更精細方向發展的重要工具。

特域超高精密冷水機CWUP-20ANP的溫控精度達到±0.08℃，可為半導體精密加工設備提供了極其穩定的控溫環境。這種穩定性對于保證芯片加工過程中的精確度和質量至關重要，能進一步提升了芯片的加工精度。

國家第三代半導體技術創新中心(南京)的技術突破，結合超快激光技術的應用和政策的支持，預示著我國半導體產業將迎來新的發展機遇，有望在全球半導體產業中占據更加重要的地位。

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